半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗; 勝山 造; 橋本 順一 |
| 发表日期 | 1994-11-04 |
| 专利号 | JP1994310808A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも狭いストライプ型半導体レーザの新規な構造を提供する。 【構成】 基板と反対側のクラッド10,11,21は、活性層のストライプ状に電流が注入される部分と平行に少なくとも一部がGaInAsPからなる凸条部21を有し、クラッドの凸条部21を有しない部分10,11の上部にAlGaInP(AlまたはGaを含まない場合を含む)を含む横光閉じ込め層32が形成されている。クラッドの凸条部を除く部分10,11の厚さは、レーザ発振光が前記横光閉じ込め層に染みだし得る厚さとなっている。 |
| 公开日期 | 1994-11-04 |
| 申请日期 | 1993-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87717]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗,勝山 造,橋本 順一. 半導体レーザ. JP1994310808A. 1994-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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