半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田 啓之 |
| 发表日期 | 2000-07-04 |
| 专利号 | JP2000188440A |
| 著作权人 | パイオニア株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ジャンクションダウンマウントに耐え得るレーザ構造層上にリッジストライプを有するリッジ型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】レーザ構造層上にリッジストライプを有するリッジ型半導体レーザの製造方法であって、レーザ構造層上にリッジストライプ材料のクラッド層及び必要なコンタクト層を順に積層したレーザ基板を形成する工程と、両側平坦部とこれらから突出し平坦上面部を有するリッジストライプとを形成すべく、リッジストライプパターンのストライプ電極をクラッド層及び必要なコンタクト層上に形成する工程と、ストライプ電極で覆われたクラッド層以外のクラッド層部分を食刻してリッジストライプ及び両側平坦部を形成する工程と、レーザ構造層の屈折率より低い屈折率を有するAlNを主成分とする多結晶絶縁材料を両側平坦部上に堆積してリッジストライプを挟む埋め込み層を形成する工程と、ストライプ電極を露出せしめ平坦上面部を形成する工程と、平坦上面部上に電極を形成する工程と、を含む。 |
| 公开日期 | 2000-07-04 |
| 申请日期 | 1998-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87718]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パイオニア株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 啓之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2000188440A. 2000-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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