半導体光集積素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 達也 |
| 发表日期 | 2000-05-19 |
| 专利号 | JP3067702B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層と光導波を一括形成した半導体光集積素子において、曲線導波路の曲率半径を小さくして、素子を小型化すること。 【解決手段】 選択MOVPEによるバンドギャップエネルギー制御技術を用いて活性領域と受動導波路領域の活性層を一括形成した後、InPより屈折率の高いInGaAsP第1クラッド層、InP第2クラッド層を埋め込み成長する。受動導波路において活性層と第1クラッド層の屈折率が同等となり、導波光は第1クラッド層に閉じ込められる。第1クラッド層の屈折率、膜厚、導波層幅を適切にとることにより、曲率半径が小さくても放射損失を生じない光導波路を形成できる。 |
| 公开日期 | 2000-07-24 |
| 申请日期 | 1997-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 達也. 半導体光集積素子およびその製造方法. JP3067702B2. 2000-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。