半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三浦 猛 |
| 发表日期 | 1994-02-10 |
| 专利号 | JP1994037394A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャップ層及び上クラッド層自体のエッチングによらず、制御性の良い光導波路を形成することで安定した特性を持つリッジ型半導体レーザ装置を得ること。 【構成】 p型GaAs基板13上のn型GaAs層14を、レーザ光を使ったフォトエレクトロケミカル選択エッチング(PEC)でストライプ溝を幅の制御性良く形成し、この溝にp型AlGaAsクラッド層4を平坦に埋込んだ後、さらに上部に所望の厚さだけ該p型AlGaAsクラッド層4を成長させることにより、制御性の良い光導波路を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-02-10 |
| 申请日期 | 1992-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87724]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三浦 猛. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1994037394A. 1994-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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