半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 宮嶋 孝夫; フレッド·ピー·ロウグ; ジョン·エフ·ドネガン; ジョン·ヘガティー |
| 发表日期 | 1996-11-12 |
| 专利号 | JP1996298352A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 室温においても擬二次元系の励起子を用いることが可能なII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する。 【構成】 第1のクラッド層2と単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層3と第2のクラッド層4とを有する半導体発光素子において、第1のクラッド層2および第2のクラッド層4のエネルギーギャップをEgcとし、活性層3を構成する量子井戸層のエネルギーギャップをEgwとしたとき、絶対零度においてEgw/Egc≦0.82の条件が満たされるように量子井戸構造を設計する。 |
| 公开日期 | 1996-11-12 |
| 申请日期 | 1994-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87725]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮嶋 孝夫,フレッド·ピー·ロウグ,ジョン·エフ·ドネガン,等. 半導体発光素子. JP1996298352A. 1996-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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