半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 工原 美樹; 中西 裕美; 唐内 一郎; 村上 一仁 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218583A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバーとモニタ用のフォトダイオードチップとの双方との光結合をする半導体レーザ装置を改良する。 【構成】 フォトダイオードチップには無効とすべきキャリアの捕獲構造が設けられているため、このため、実装が容易になるだけでなく、安定した動作も実現できる。レーザダイオードチップからのモニタ光をフォトダイオードチップに入射しても、光電流信号の裾引きなどを生じることがない。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87729]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工原 美樹,中西 裕美,唐内 一郎,等. 半導体レーザ装置. JP1993218583A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。