エピタキシヤル結晶の評価方法
文献类型：专利
| 作者 | 早藤 紀生 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121510A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシヤル結晶の評価方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウェハを破壊することなしにエピタキシャル結晶層の各層厚を求める方法を得る。また、この方法に適した基板形状を提供する。 【構成】 基板1の(001)面に対し{010}面および{001}面の露呈した垂直な側壁面を有する凹部7を設け、基板上にエピタキシャル結晶2を成長させ、上記凹部の側壁面に沿って成長したエピタキシャル結晶2の断面を{111}面8からSEMにて観察して各層の厚みを読み取る。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87747]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早藤 紀生. エピタキシヤル結晶の評価方法. JP1993121510A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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