半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 後藤 順; 百瀬 正之; 大家 彰; 右田 雅人 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142765A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】p型不純物のドーピング量制御の再現性がよく、特性が良好な半導体発光素子を提供すること。 【構成】InP基板1上に配置された、II族及びVI族の化合物半導体で構成されるn型クラッド層2及びp型クラッド層4と、このp型及びn型クラッド層に挾まれ、クラッド層よりも禁制帯幅が狭く、電子及び正孔が注入されることにより発光する活性層3とを有し、p型クラッド層を、II族元素としてMgが、VI族元素としてSe又はSeとTeの組合せがそれぞれ主たる構成元素として含まれている化合物半導体とした半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87754]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,後藤 順,百瀬 正之,等. 半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法. JP1995142765A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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