窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 太田 征孝; 津田 有三 |
| 发表日期 | 2009-03-19 |
| 专利号 | JP2009059797A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】発光波長430〜580nmの窒化物半導体レーザ素子において、活性層への光閉じ込め効率が向上され、より高い発光効率を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】n型クラッド層と、IneGafN(e+f=1)からなる井戸層および、障壁層から構成される活性層と、p型クラッド層と、を含み、発光波長が430nm以上580nm以下である窒化物半導体レーザ素子であって、該n型クラッド層と該活性層との間に、実質的に不純物を含まないInaGabN(a+b=1)の単層からなり、層厚が0.02〜0μmであるn側光ガイド層を備え、該n側光ガイド層のIn組成比aは、該井戸層のIn組成比より小さく、かつ0.00 |
| 公开日期 | 2009-03-19 |
| 申请日期 | 2007-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87761]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 征孝,津田 有三. 窒化物半導体レーザ素子. JP2009059797A. 2009-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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