半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴岡 清貴; 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 1999-01-22 |
| 专利号 | JP1999017273A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ製造工程における素子分離溝や電極形成時に起こるフォトリソグラフィーの目合せずれによる位置ずれを防ぎ、ストライプ状活性領域を正確に素子分離溝間の中央に位置させる。 【解決手段】半導体積層構造形成後、電流ブロック構造形成前のストライプ状活性領域形成用誘電体マスク形成時に素子分離溝形成部用誘電体マスクと電極形成時のフォトリソグラフィー目合せに用いるマーカーを同時に形成し、エッチングによりメサストライプ状活性領域及び素子分離溝形成用メサストライプを形成する。この後、メサストライプ両脇に電流ブロック構造を形成し、活性領域と電流ブロック構造の上に埋込層、キャップ層を順次形成する。このキャップ層をエッチングマスクとしてメサストライプをエッチングして素子分離溝をセルフアラインで形成する。 |
| 公开日期 | 1999-01-22 |
| 申请日期 | 1997-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87770]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴,鈴木 尚文. 半導体レーザの製造方法. JP1999017273A. 1999-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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