化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大櫃 義徳 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087766A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 化合物半導体素子において、発光層の結晶性を良好にしてデバイス性能を向上させる。 【解決手段】 半導体基板上及びウェハーホルダー上に基板と同じ材料からなる低温バッファ層11を活性層14よりも低い成長温度で成長させて、基板表面やウェハーホルダー表面をコーティングする。これにより、基板表面やウェハーホルダー表面に付着した不純物が蒸発して活性層14に取り込まれるのを防ぐ。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87773]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大櫃 義徳. 化合物半導体素子及びその製造方法. JP1999087766A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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