化合物半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森田 悦男; 冨谷 茂隆; 山本 直; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1993-12-17 |
| 专利号 | JP1993335258A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リンを含む化合物半導体装置において、1回の結晶成長によってキャリアの閉じ込めを行い得る構成とする。 【構成】 化合物半導体基板1の主面1Sが{001}結晶面から〈110〉結晶軸方向に傾けられた面より成り、この主面1S上に〈110〉結晶軸方向に沿う方向に延長するリッジ2もしくは溝を設け、化合物半導体基板1上に化合物半導体層10がエピタキシャル成長され、この化合物半導体層10の少なくとも一部をリンを含む半導体材料により構成し、これら化合物半導体層10に少なくとも{111}B結晶面を有する機能層(活性層5)を設けて構成する。 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 申请日期 | 1992-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87774]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 悦男,冨谷 茂隆,山本 直,等. 化合物半導体装置とその製造方法. JP1993335258A. 1993-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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