半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 増井 克栄; 宮内 伸幸 |
| 发表日期 | 2000-06-02 |
| 专利号 | JP3074092B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ光出射特性における単峰性が失われたり光軸がずれたりしない半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 ステム3にダイボンドされたレーザダイオードチップ1には樹脂2が被覆される。その際に、樹脂2は、レーザダイオードチップ1の前方レーザ光出射端面1aに対して樹脂厚が500μm以下であって且つその表面が平行になるように被覆される。こうして、樹脂厚を500μm以下にすることによってレーザ光出射特性を単峰性にし、樹脂表面を平行にすることによってレーザ光出射特性における光軸がずれないようにする。 |
| 公开日期 | 2000-08-07 |
| 申请日期 | 1993-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87775]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 増井 克栄,宮内 伸幸. 半導体レーザ装置. JP3074092B2. 2000-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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