半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 上條 健; 松井 康浩; 城間 真 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP2783947B2 |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 横モード制御、放射パターンの制御が容易であり、長期にわたり高い信頼性を得ることができる半導体レーザを提供する。 【構成】 エルビゥムドープファイバ光増幅器用の半導体レーザにおいて、Alの比率が徐々に増加されるクラッド層12、クラッド層13、Alの比率を変化させたクラッド層14、この層より屈折率の低いクラッド層15、Alの比率を徐々に減少させたクラッド層16、歪み量子井戸活性層17、Alの比率を徐々に増加させたクラッド層18、エッチングストップ層としての第3クラッド層19、Alの比率を徐々に減少させ、前記第3クラッド層の屈折率より高いリッジストライプ形状のクラッド層20、リッジストライプ形状のクラッド層21、Alの比率が徐々に減少されるリッジストライプ形状のクラッド層22、とを順次形成する。 |
| 公开日期 | 1998-08-06 |
| 申请日期 | 1992-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87783]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,上條 健,松井 康浩,等. 半導体レーザ. JP2783947B2. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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