半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101192A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な高温動作特性を有するとともに、長期間に亘って安定したレーザ特性を有する半導体レーザを実現すること。 【解決手段】 複数回の結晶成長工程を経てAlGaInP系可視光半導体レーザの作製する際に、p型半導体層の内、最終の結晶成長工程において最後に形成されるp型半導体層の表面をn型半導体層で被覆し、室温まで降温させた上で、当該n型半導体層を除去することで、結晶成長後の降温過程におけるp型半導体層に対する水素による不活性化を防止する。これにより、高いpキャリア濃度が得られ、良好な高温動作特性の実現と、長期間に亘って安定した特性を有する半導体レーザを実現することが可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87794]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 半導体レーザの製造方法. JP2000101192A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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