窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 小崎 徳也; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2010-11-19 |
| 专利号 | JP4625998B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子の劣化を防止して寿命特性が良好となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 活性層6が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造である。 |
| 公开日期 | 2011-02-02 |
| 申请日期 | 1999-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87797]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎 徳也,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP4625998B2. 2010-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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