窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 2007-05-18 |
| 专利号 | JP3957359B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 品質の高い再成長界面を有し、電気的特性及び光学的特性に優れ、信頼性を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体レーザを提供する。 【解決手段】 2回目の結晶成長工程において、例えば400℃〜650℃程度の低温基板温度にて、露出したMgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層5上にN型Al0.05Ga0.95N表面蒸発保護層6を20nm〜100nm程度積層する。次に、基板温度を1050℃程度まで昇温し、N型Al0.15Ga0.85N電流阻止層7を0.5μm〜1μm程度選択成長させる。 |
| 公开日期 | 2007-08-15 |
| 申请日期 | 1997-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP3957359B2. 2007-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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