窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 布上 真也; 波多腰 玄一 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223779A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化物系半導体レーザ装置において、プロセスの再現性にも優れ、工程が易しく、低しきい値で動作が可能など特性の良い窒化物系横モード制御構造とその製造方法を提供することにある。 【解決手段】基板上に構成された窒化物系半導体レーザ素子の構造に関して、基本横モードを得るための構造として基板上に第1導電型コンタクト層、第1導電型クラッド層、光ガイド層を含む活性層と第2導電型第1クラッド層を形成し、該第2導電型第1クラッド層上に第1導電型InxGa1-x-yAlyN(0≦x、y<1)からなる光導波制御層と、該光導波制御層の一部開口部と該光導波制御層を覆うよう第2導電型第2クラッド層と第2導電型コンタクト層が形成し、第1導電型光導波制御層下面と、開口部に形成されたと第2導電型第二クラッド層下面が略同一面に設定するようしたものである。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87805]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,布上 真也,波多腰 玄一. 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2000223779A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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