半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148672A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】GaAsキャップ層のドーパントであるZnの異常拡散を防止し、高抵抗のLD素子の発生を押さえ、LD素子の製造歩留りを向上させる。 【解決手段】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlXGa1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5を順に積層し、さらに誘電体層を形成し、この誘電体層をパターニングした後、Alw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層6をキャップ層上のみに選択成長した後、誘電体層を除去し、全面に第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7を積層する工程を有するAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記誘電体層は、電子ビーム蒸着による誘電体層10aとスパッタによる酸化ケイ素層10の積層である。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1997148672A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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