半導体レ—ザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 池上 隆俊; 上谷 高弘 |
| 发表日期 | 1999-12-14 |
| 专利号 | JP1999346033A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄層の幅に制限を受けることなく発光領域の幅を自由に設計することができ、良好な電気的特性を保ったまま所望の光学的特性を得ることができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置は、n-GaAs基板21上に、n-GaAsバッファ層22、n-AlGaAsクラッド層23、活性層24、p-AlGaAsクラッド層25、狭窄層26、ストライプ状のメサに加工されたp-AlGaAsクラッド層27、n-GaAs電流阻止層28及びp-GaAsコンタクト層29を備え、狭窄層26は、発光領域の直近上部のリッジ底部に設置された電流狭窄層であり、エピ段階で成長形成され、リッジ作製エッチングを行った後に選択エッチングによるサイドエッチングにより作製する。 |
| 公开日期 | 1999-12-14 |
| 申请日期 | 1999-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 隆俊,上谷 高弘. 半導体レ—ザ装置及びその製造方法. JP1999346033A. 1999-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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