半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 和田 貢 |
| 发表日期 | 2007-11-02 |
| 专利号 | JP4033930B2 |
| 著作权人 | 富士フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 分離閉じ込めヘテロ構造のIII-V族半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。 【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層2、n-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層3、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層4、Inx1Ga1-x1As1-yPy 引張り歪量子井戸活性層5、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層6、p-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層7、p-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次成長させる。なお、障壁層4、6は、活性層5の引張り歪を補償する歪量の圧縮歪を有するものとする。 |
| 公开日期 | 2008-01-16 |
| 申请日期 | 1996-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87825]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,和田 貢. 半導体レーザ. JP4033930B2. 2007-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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