半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森野 寧規; 大倉 裕二; 古森 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-10-27 |
| 专利号 | JP1998290042A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層3の発光領域付近の素子の欠けを防ぎ、発光領域への異物の付着がない半導体発光素子を得る。 【解決手段】 活性層3の発光領域付近の素子上面Aを発光領域付近以外の素子上面Bよりも低く形成する。また、活性層3の発光領域付近の素子端面Cを発光領域付近以外の素子端面Dよりも内側に形成する。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87834]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森野 寧規,大倉 裕二,古森 秀樹. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1998290042A. 1998-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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