光半導体装置
文献类型:专利
作者 | 東 敏生 |
发表日期 | 1997-08-15 |
专利号 | JP1997214046A |
著作权人 | FUJITSU LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体装置 |
英文摘要 | 【課題】 光半導体装置に関し、量子井戸構造をもつ光半導体装置の構成に簡単な改変を加えることで、レーザ·トランシーバの低しきい値特性と偏波無依存性とを両立させようとする。 【解決手段】 共振器方向を軸に傾斜して形成され且つ光検出部を兼ねたレーザ発振部Aの傾斜の方向及び光検出部を兼ねたレーザ発振部Aに連なる光検出部Bの傾斜の方向が交差する関係に在る量子井戸活性層が積層半導体層2中に含まれている。 |
公开日期 | 1997-08-15 |
申请日期 | 1996-01-31 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87838] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生. 光半導体装置. JP1997214046A. 1997-08-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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