窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 神川 剛; 川口 佳伸 |
| 发表日期 | 2009-08-27 |
| 专利号 | JP2009194150A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】430nmより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。 【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板(101)上に形成された窒化物半導体積層構造(102-108)を含み、この窒化物半導体積層構造はインジウムを含む窒化物半導体からなる活性層(105)を含み、記窒化物半導体積層構造の光出射端面(103)がエッチングにより形成されており、光出射端面上に酸窒化物からなる端面コート膜が形成されていることを特徴としている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-08-27 |
| 申请日期 | 2008-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87840]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,川口 佳伸. 窒化物半導体発光素子. JP2009194150A. 2009-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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