半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232685A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】低雑音で安定な横モードを備え、かつ長寿命の連続動作が可能な、青色から近紫外の波長領域のGaN系のLD、及び同じ波長領域のGaN系の高輝度、長寿命なLEDを実現すること。 【解決手段】高濃度の不純物添加により比抵抗を大幅に低減したBP、GaN又はSiCをコンタクト層として用いること、またこれらの材料を電流阻止層として用いることにより、電流阻止機能と同時に横モード制御機能を有する低雑音で高密度な光読みだしが可能なLD、及び高輝度青色LEDを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87845]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫. 半導体発光装置. JP1997232685A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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