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半導体発光素子

文献类型:专利

作者竹岡 忠士; 松井 完益
发表日期1997-04-08
专利号JP1997097948A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子
英文摘要【課題】 AlGaInP系半導体発光素子において、電子のオーバーフローを制御すると共に、高出力動作時·高温動作時にも高い信頼性を得る。 【解決手段】 GaInPまたはAlGaInPからなる活性層41を間に挟んで、n型AlGaInPクラッド層12およびp型AlGaInPクラッド層14、16が積層されている。活性層41とn型クラッド層12との間、および活性層41とp型クラッド層14との間には、光ガイド層43、42が設けられている。p型クラッド層14、16にはBeがドーピングされ、さらに、活性層41、p型クラッド層14、16および光ガイド層43、42にはSiがドーピングされている。
公开日期1997-04-08
申请日期1995-10-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87858]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
竹岡 忠士,松井 完益. 半導体発光素子. JP1997097948A. 1997-04-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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