半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 向原 智一; 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1999-08-27 |
| 专利号 | JP1999233885A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 量子井戸活性層からp型クラッド層への電子漏洩を充分に抑制することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 この半導体発光装置Aは、量子井戸活性層4とp型クラッド層6との間に介装された光閉じ込め層3の中にCドープp型半導体層5が形成されているヘテロ構造H1を有し、前記量子井戸活性層、前記p型クラッド層、前記光閉じ込め層がいずれもAlGaInP系化合物から成り、前記Cドープp型半導体層5がCドープAlxGa1-xAs(ただし、0 |
| 公开日期 | 1999-08-27 |
| 申请日期 | 1998-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87880]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向原 智一,石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体発光装置. JP1999233885A. 1999-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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