半導体レーザ,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊 |
| 发表日期 | 1999-02-12 |
| 专利号 | JP1999040879A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ導波路と電極との接触位置のずれを無くすことができるとともに、信頼性を向上でき、かつ水平横方向の実効屈折率分布を小さくできる半導体レーザ,及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板1上に下クラッド層2,活性層3,第1上クラッド層4,エッチングストップ層5,第2上クラッド層6及びコンタクト層7を形成した後、ストライプ状の絶縁膜8をマスクとして上記第2上クラッド層6及びコンタクト層7を選択エッチングしてリッジ導波路9を形成し、上記絶縁膜8をマスクとして基板1の上方にAlAs層10を選択成長させ、これをウエット酸化させてAlAs酸化層11を形成し、基板1の上方にp側電極12を形成するようにした。 |
| 公开日期 | 1999-02-12 |
| 申请日期 | 1997-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87894]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊. 半導体レーザ,及びその製造方法. JP1999040879A. 1999-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。