半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | デイビッド ピー.バウアー; フェルナンド エー.ポンス; ジー.エー.ネビル コネル; ロス ディー.ブリンガンス; ノーブル エム.ジョンソン; ベルナー カー.ゲーツ; リンダ ティー.ロマノ |
| 发表日期 | 1998-07-21 |
| 专利号 | JP1998190135A |
| 著作权人 | ゼロックス コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 優れた構造的、光学的、及び電子的特性を有し、高性能の半導体装置を提供する。 【解決手段】 エピタキシャルプロセスの前に、”C”-平面サファイア(Al2 O3 )基板を窒化処理し、この間この基板を1000°Cより高い温度で瞬間的にアンモニアガスに露呈する。この露呈時間は多くの状況において重要なものではない。アンモニアガスへのこの露呈時間は数秒から数分の範囲であってもよい。一般に、基板は約5〜10分の間アンモニアに露呈される。この窒化プロセスは基板の表面上の酸素原子を窒素原子に置換し、この表面上の酸化アンモニウムを窒化アンモニウムに変える。アンモニアの代わりに、ヒドラジン、フェニルヒドラジン、又は他の有機窒素分子等の500°Cより高い温度で十分に高温処理された他の窒素前駆体を使用してもよい。 |
| 公开日期 | 1998-07-21 |
| 申请日期 | 1997-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87897]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | デイビッド ピー.バウアー,フェルナンド エー.ポンス,ジー.エー.ネビル コネル,等. 半導体装置. JP1998190135A. 1998-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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