半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 2003-02-21 |
| 专利号 | JP3398966B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 基体上にII-VI族化合物半導体による短波長半導体発光素子を構成する。 【構成】 基体1上に、ZnMgSSe系のクラッド層2及び4によって挟み込まれたダブルヘテロ接合型のII-VI族化合物半導体発光素子を構成する。 |
| 公开日期 | 2003-04-21 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋. 半導体発光素子. JP3398966B2. 2003-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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