半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 皆川 重量; 田中 俊明; 石谷 善博; 大歳 創 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249830A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInN系エピタキシャル結晶にファブ·リペロー·キャビテイを形成する半導体発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 ウルツ鉱型結晶構造を有するAlGaInN系のエピタキシャル結晶において、エピタキシャル結晶面に垂直に溝を切り、溝の側面上にエピタキシャル結晶を成長せしめることによって良好なファブリ·ペロー·キャビテイを形成する。具体的には図1に示すとおり、AlGaInN系エピタキシャル結晶層12-16に溝18を掘り、その側壁に結晶成長層19をつけることによって平坦な反射面が形成される。 【効果】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶に従来困難であったファブリ·ペロー·キャビテイを作り込むことが出来る。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87899]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 皆川 重量,田中 俊明,石谷 善博,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1995249830A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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