半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2010-03-11 |
| 专利号 | JP2010056105A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】集積型の多波長半導体レーザ素子において、各々の半導体レーザ素子を構成する共振器端面が共振器方向にずれるのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この3波長半導体レーザ素子100は、n型GaN基板11上に形成された共振器端面10aを有する青紫色半導体レーザ素子10と、青紫色半導体レーザ素子10の共振器端面10aと略同一面内に形成された共振器端面50aおよび70aを有する赤色半導体レーザ素子50および赤外半導体レーザ素子70とを備え、青紫色半導体レーザ素子10は、光導波路領域を除く領域に共振器端面10aの延びる方向に延びる段差部10bおよび10cを有し、赤色半導体レーザ素子50および赤外半導体レーザ素子70は、それぞれの光導波路領域を除く領域に、共振器端面50aおよび70aの延びる方向に延びる段差部50bおよび70bを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-03-11 |
| 申请日期 | 2008-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87906]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2010056105A. 2010-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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