半導体量子井戸光変調器ならびにこれを用いた光変調方法および装置
文献类型：专利
| 作者 | 山中 孝之; 脇田 紘一; 横山 清行 |
| 发表日期 | 1996-08-09 |
| 专利号 | JP1996201740A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸光変調器ならびにこれを用いた光変調方法および装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 大きな吸収変化および屈折率変化が、小さい電圧で得られる高性能な半導体量子井戸光変調器ならびにこれを用いた光変調方法および装置を提供すること。 【構成】 n-InP基板1上にn-InPクラッド層2、ノンドープInGaAsP/InGaAsP(応力を補償)からなる多重量子井戸層3、p-InPクラッド層4、n-InPおよびp-InGaAs層5を順次積層し、n-InP基板1の裏面にN側電極6、p-InGaAs層5上にP側電極7を設ける。P側電極7上に電界印加のためのリード線8を接続する。入射光9は変調光10として出射される。TM偏光の吸収ピークがTE偏光に対する吸収ピークよりも高く設定したためTM偏光により変調動作を行うと高性能な光変調器として動作する。 |
| 公开日期 | 1996-08-09 |
| 申请日期 | 1995-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87910]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 孝之,脇田 紘一,横山 清行. 半導体量子井戸光変調器ならびにこれを用いた光変調方法および装置. JP1996201740A. 1996-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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