超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | タスカー ニキル アール; ドールマン ドナルド アール; ギャラガー デニス |
| 发表日期 | 2002-05-21 |
| 专利号 | JP2002514997A |
| 著作权人 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法 |
| 英文摘要 | Semiconductor compounds and a method for producing the same are provided wherein a method for growing at least one epitaxial layer of a II-VI semiconductor compound using MOVPE is used, the method including the steps of subjecting a substrate to organometallic and hydride precursor compounds in a MOVPE reactor at ultra low pressure, i.e. a pressure in the range of about 10 to 1 mTorr, whereby the organometallic and hydride precursor compounds react at a substrate surface without substantial reaction in the gas phase. The epitaxial layers and semiconductor compounds are useful in blue laser devices. |
| 公开日期 | 2002-05-21 |
| 申请日期 | 1996-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87919]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | タスカー ニキル アール,ドールマン ドナルド アール,ギャラガー デニス. 超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法. JP2002514997A. 2002-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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