半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 塚本 弘範; 樋江井 太 |
| 发表日期 | 1997-06-20 |
| 专利号 | JP1997162500A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層と基板との間の格子歪みに起因する点欠陥が少なく長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、n型ZnSSe光導波層4、Zn1-x CdxOy S1-y 活性層5、p型ZnSSe光導波層6、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSeコンタクト層8、p型ZnSe/ZnTe多重量子井戸層9およびp型ZnTeコンタクト層10を順次積層してレーザー構造を形成する。これらの層のうち、少なくともZn1-x Cdx Oy S1-y 活性層5の格子定数をn型GaAs基板1の格子定数とほぼ一致させる。 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 申请日期 | 1995-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87939]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塚本 弘範,樋江井 太. 半導体発光素子. JP1997162500A. 1997-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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