半導体レーザ及び半導体光アンプ
文献类型：专利
| 作者 | 南部 芳弘 |
| 发表日期 | 1999-11-05 |
| 专利号 | JP1999307860A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体光アンプ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、レーザ光の横モード制御性に優れた半導体レーザや半導体光アンプを提供することを目的とする。 【解決手段】 量子ドット構造を含む活性層13を備えた面発光型の半導体レーザにおいて、前記活性層内の量子ドットの分布密度を空間的に制御することにより所望の横モードを得る。 |
| 公开日期 | 1999-11-05 |
| 申请日期 | 1998-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南部 芳弘. 半導体レーザ及び半導体光アンプ. JP1999307860A. 1999-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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