半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 上山 智; 辻村 歩; 石橋 明彦; 長谷川 義晃; 宮永 良子 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058965A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低抵抗化を図る半導体レーザ素子のジャンクションダウン·ボンディングを容易に且つ確実に行なえるようにし、また、基板の劈開時のリッジ部を保護できるようにする。 【解決手段】 基板11のエピタキシャル層における中央部には、n型半導体層12、活性層13及びp型半導体層14を含む凸状部からなる共振器形成部が形成されている。共振器形成部におけるp型半導体層14の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部14aが形成されている。共振器形成部の側方であって、n型半導体層12の露出部には、Ti/Alからなるn側電極16が形成されている。n側電極16のp側電極15側の領域、並びにp側電極15を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれSiNからなる絶縁膜17に覆われている。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,木戸口 勲,伴 雄三郎,等. 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子. JP2000058965A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。