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3族窒化物半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者小出 典克; 小池 正好; 山崎 史郎; 永井 誠二; 赤崎 勇; 天野 浩
发表日期1998-06-19
专利号JP1998163577A
著作权人TOYODA GOSEI CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名3族窒化物半導体レーザ素子
英文摘要【課題】単一モード光を発振する3族窒化物半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】3族窒化物半導体レーザ素子において、活性層5より発光した光が伝搬するn型クラッド層4とp型クラッド層とに挟まれた領域内に回折格子を形成した。回折格子はブラッグ波長の光だけを活性層に帰還させるので、その結果このレーザ素子が発光する光は単一モード光となった。
公开日期1998-06-19
申请日期1996-12-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87956]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOYODA GOSEI CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
小出 典克,小池 正好,山崎 史郎,等. 3族窒化物半導体レーザ素子. JP1998163577A. 1998-06-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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