III族窒化物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中平 篤; 田中 秀尚 |
| 发表日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP1998125957A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高品質の立方晶III族窒化物半導体薄膜を有する半導体素子構造を可能とすること、および高品質の立方晶III族窒化物半導体膜を有する半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】閃亜鉛鉱型の単結晶の(100)面を[01-1]方向に傾斜した基板上に、立方晶系の結晶構造を持つIII族窒化物半導体AlN、GaN、InN単結晶薄膜、またはその混晶AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のうちから選択される少なくとも1種の窒化物半導体層を堆積したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法とする。 |
| 公开日期 | 1998-05-15 |
| 申请日期 | 1996-10-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87969]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中平 篤,田中 秀尚. III族窒化物半導体素子およびその製造方法. JP1998125957A. 1998-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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