リッジ型半導体光素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野 卓宏; 石川 卓哉; 小沢 章一 |
| 发表日期 | 1997-02-18 |
| 专利号 | JP1997051146A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体光素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光の閉じ込めの強さと電流の閉じ込めの強さとを独立に設定できるリッジ型半導体光素子を提供する。 【解決手段】 本リッジ型半導体光素子30は、n型InP基板32上に順次形成されたn型InP下部クラッド層34、n型InGaAsP下部導波層36(λ=15μm)、ノンドープ多重量子井戸構造の活性層38、及びp型InGaAsP上部導波層40(λ=15μm)と、上部導波層40上に形成されたp型InP上部クラッド層42及びその上のp型InGaAsコンタクト層44からなるリッジ部46と、上部導波層40上及びリッジ部の両側面に第1の埋め込み層として再成長させた半絶縁性InP層48と、半絶縁性InP層48上に第2の埋め込み層として形成されたポリイミド層50と、上下に設けられたp側電極52及びn側電極54とで形成されている。 |
| 公开日期 | 1997-02-18 |
| 申请日期 | 1995-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 卓宏,石川 卓哉,小沢 章一. リッジ型半導体光素子及びその作製方法. JP1997051146A. 1997-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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