半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史 |
| 发表日期 | 2009-01-29 |
| 专利号 | JP2009021454A |
| 著作权人 | YOKOGAWA ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】SOAとゲートスイッチ等を集積し高い飽和光出力を有する光素子を簡単なプロセスで提供する。 【解決手段】半導体光増幅器(SOA)と光導波路を集積した光素子において、前記光導波路は前記SOA部分と同じ活性層を含んでリッジ構造により光導波させ、前記SOA部分とは異なるリッジ幅若しくはリッジ深さとした。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-01-29 |
| 申请日期 | 2007-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87976]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | YOKOGAWA ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史. 半導体光素子. JP2009021454A. 2009-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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