半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 新田 康一; 渡辺 幸雄 |
| 发表日期 | 1999-04-02 |
| 专利号 | JP2909133B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To reduce astigmatic difference to focus radiated light to a fine spot by providing a third clad layer on a double hetero structure and providing a light guide layer on an opening of the layer. CONSTITUTION:An n-GaAs buffer layer 11, an n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 12, an undoped In0.5Ga0.5P active layer 13, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 14, a p-In0.5Ga0.5P cap layer 15, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 16 and an n-GaAs current block layer 17 are laminated on an n-GaAs substrate. The layer 17 is selectively etched into stripes via a mask to form an opening. Then an opening slightly narrower than the above opening is provided on the layer 16. A p-In0.5(Ga0.5Al0.5)0.5P light guide layer 18, a p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P clad layer 19, a p-In0.5Ga0.5P intermediate band gap layer 20 and a p-GaAs contact layer 21 are formed and further electrodes 22, 23 are formed. |
| 公开日期 | 1999-06-23 |
| 申请日期 | 1990-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,渡辺 幸雄. 半導体レーザ装置. JP2909133B2. 1999-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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