半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 坪田 孝志; 鹿島 保昌 |
| 发表日期 | 1993-09-28 |
| 专利号 | JP1993251810A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 溝を有するその上部でのホトレジストの段切れを防止し、電極と半導体層が接触しない半導体レーザ素子を得る。 【構成】 P型InPクラッド層28、InGaAsP活性層29、N型InPクラッド層30、N型InGaAsPコンタクト層31を順次成長させ、その上にホトレジスト32をコーティングした後、ホトリソ工程により、ホトレジスト32にストライプ状の窓33を形成し、エッチング液によりP型InPバッファ層22まで達する溝34を形成し、ホトレジスト32を除去した後、SiO2 膜35を膜付し、その後、ベークした後にすぐにホトレジスト36をコーティングし、ホトリソ工程により、InGaAsP活性層29上部のホトレジスト32にストライプ状の窓を形成し、エッチング液によりSiO2 膜35をエッチングし、ホトレジスト32を除去した後、P側及びN側に電極38、39を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-09-28 |
| 申请日期 | 1991-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坪田 孝志,鹿島 保昌. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993251810A. 1993-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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