リッジ導波型半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松山 隆之 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012966A |
| 著作权人 | TOSHIBA ELECTRONIC ENGINEERING CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ導波型半導体レーザ素子のしきい値電流の低減化、出力の安定、および信頼性の向上を図る。 【解決手段】 第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、リッジ状の第3クラッド層が順次形成されたリッジ導波型半導体レーザ素子で、低キャリア濃度の第2クラッド層には、第3クラッド層下方の部分に第1クラッド層と異なる導電型で形成された高キャリア濃度の低抵抗領域が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87998]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA ELECTRONIC ENGINEERING CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山 隆之. リッジ導波型半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000012966A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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