半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐川 みすず; 井上 宏明 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291684A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】高度に集積化された光集積回路または光電気集積回路を得ることを目的とする。 【構成】本構造は、GaAs基板上、一方の面上にMBE法によりn型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡6,n-AlGaAsクラッド層,InGaAs歪活性層,p-AlGaAsクラッド層,p型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡10より構成された垂直共振器型半導体レーザ及び電子集積回路,他方の面上に、MBE法によりn-InGaAs層,p-InGaAs層により構成された裏面入射型受光素子,電子集積回路を有する。 【効果】半導体基板上両面にエピタキシャル成長により素子を作製し、異なる平面上の素子間の信号のやり取りを光により行うことにより、高集積度された光電子集積回路,光集積回路,電子集積回路で素子間の接続が複雑化されたときに素子間の相互接続が容易になり、集積回路設計の自由度が上がった。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,井上 宏明. 半導体装置. JP1993291684A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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