半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 畑 雅幸; 廣山 良治; 庄野 昌幸 |
| 发表日期 | 2002-11-22 |
| 专利号 | JP3373975B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸構造の活性層への正孔の注入の不均一性が改善された半導体発光素子を提供することである。 【構成】 圧縮歪障壁層41および引張り歪井戸層42が交互に積層されてなるMQW活性層4とp-クラッド層8との間に引張り歪を有する引張り歪層5を設けることにより、p-クラッド層8からMQW活性層4の全体に均一に正孔を注入する。 |
| 公开日期 | 2003-02-04 |
| 申请日期 | 1995-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88008]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,廣山 良治,庄野 昌幸. 半導体発光素子. JP3373975B2. 2002-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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