埋め込み構造半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋; 山本 ▲みつ▼夫 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148669A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 有機金属気相成長(MOVPE)法を用いた埋め込み構造半導体レーザを提供する。 【解決手段】 少なくともn型の導電型を有する第1のクラッド層と;活性層と、p型の導電型を有し第2のクラッド層の一部を構成するp型クラッド層よりなる積層構造を有する、n型半導体基板上に形成されたストライプ状のメサ構造101と;該メサ構造101の両側を埋め込むp型の半導体層7とn型の半導体層8よりなる積層構造と、該メサ構造101及び該積層構造の上に形成され、該p型クラッド層と共に第2のクラッド層を構成するp型オーバークラッド層9と;該p型オーバークラッド層9の上に形成されたp型コンタクト層とを具備した埋め込み構造半導体レーザにおいて、前記積層構造を構成する該p型の半導体層7の一部分であって、前記メサ構造101の側面の全域を覆い、且つ該p型半導体層7の残りの部分に比してキャリヤ濃度が低くなっている低キャリヤ濃度p型緩衝領域102が形成されてなる。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88015]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋,山本 ▲みつ▼夫. 埋め込み構造半導体レーザ. JP1997148669A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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