RWG-Laserdiode
文献类型：专利
| 作者 | BORCHERT, BERND |
| 发表日期 | 2001-08-16 |
| 专利号 | DE10004399A1 |
| 著作权人 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | RWG-Laserdiode |
| 英文摘要 | Laserdiode mit Stegwellenleiter und mit je einer Isolationsschicht (10a, 10b, 11a, 11b) aus Aluminiumoxid als Apertur beidseitig der aktiven Schicht (3) in den Barriereschichten (2, 4). Die Aluminiumoxidaperturen sind so strukturiert, daß jeweils ein streifenförmiger Anteil der betreffenden Schichtebene in dem für die Wellenführung vorgesehenen Bereich von dem Aluminiumoxid frei ist. Damit können gleichzeitig das elektrische Confinement und das optische Confinement optimiert werden. Eine taperförmige Verjüngung der Wellenführung ist ebenfalls einfach realisierbar. |
| 公开日期 | 2001-08-16 |
| 申请日期 | 2000-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88020]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BORCHERT, BERND. RWG-Laserdiode. DE10004399A1. 2001-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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