半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 波多腰 玄一; 新田 康一 |
| 发表日期 | 2001-10-05 |
| 专利号 | JP3237870B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 InGaAlP半導体レーザの最適構造パラメータを与え、サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 n-GaAs基板11上に、n-InGaAlPクラッド層13,InGaP活性層14及びp-InGaAlPクラッド層15,17からなるダブルヘテロ構造部を形成した半導体レーザ装置において、nクラッド層13又はpクラッド層15,17の厚さHを、nクラッド層13又はpクラッド層15,17と活性層14とのAl組成比の差Δxに対して、dを活性層厚,λを発振波長としたときに、0.3μm≦H≦0.24λ(Δxd/λ)-1/2を満たす範囲に設定したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-10 |
| 申请日期 | 1991-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88021]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,波多腰 玄一,新田 康一. 半導体レーザ装置. JP3237870B2. 2001-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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