半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 向原 智一; 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1999-02-26 |
| 专利号 | JP1999054841A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 精度の高いモードフィールド変換領域を備え、低閾値電流で横モード特性の安定な屈折率導波路構造の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成される量子井戸活性層上のクラッド層を、屈折率導波路型のレーザ活性領域を規定する所定幅のストライプ部と、このストライプ部に連なってその幅が暫減するモードフィールド変換領域を規定するテーパ部からなるメサ構造として実現し、このストライプ部とテープ部とからなるメサ形状のクラッド層の下部領域を除く量子井戸活性層を、上記クラッド層の周囲の該量子井戸活性層上に設けたZnO/SiO2層を用いたZnの拡散により選択的に混晶化した後、上記ZnO/SiO2層を除去した素子構造とする。 |
| 公开日期 | 1999-02-26 |
| 申请日期 | 1997-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88026]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向原 智一,石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1999054841A. 1999-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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